بررسی خواص اپتوالکترونیکی فیلم نازک اکسید قلع به روش افشاندن و کاربردآن بعنوان حسگر گاز

در این مقاله اثرات تغییرات فشار گاز حامل ، فاصله دهانه خروجی گاز تازیرلایه و دما به روش افشاندن (Spraying) برروی فرانمایی (شفافیت) وهدایت الکتریکی لایه های نازک SnO2 مورد بررسی قرار گرفته است . از این لایه ها به عنوان حسگرهای گاز استفاده شده است . علاوه بر آن اثرات تغییرات دما برروی پارامترهای مذکور به روش لایه نشانی بخار شیمیایی (CVD) نیز گزارش شده است. در هردو روش برای ساخت لایه های نازک اکسید قلع از محلول SnCl4 استفاده شده است.در روش افشاندن ، فشار گاز حامل ، فاصله لایه نشانی تا زیر لایه و دما جهت پیدا کردن یک مقدار بهینه در هر کدام از متغیرهای فوق مورد مطالعه قرار گرفت وحالت بهینه به ترتیب ٥ لیتر بر دقیقه، ٢ سانتیمتر و ٢٨٠ درجه سانتیگرادبدست آمد . در ضمن دمای بهینه در روش CVD و400 درجه سانتیگراد تعیین شد. پس از ساخت نمونه ها منحنی تغییرات مقاومت سطحی ، شفافیت (فرانمایی)، ضخامت برحسب متغیرهای ذکر شده و منحنی حساسیت حسگرهای گاز انجام پذیرفت. نتایج بدست آمده موردمطالعه قرارگرفت و با یکدیگر مقایسه شد.