به کارگیری ساختارهای EBG به منظور افزایش پهنای باند و دایرکتیویته ی آنتن میکرواستریپ

در این مقاله طرحی جدید از یک آنتن محفظه تشدیدی به همراه ساختار باند شکاف الکترومغناطیسی که به عنوان یک سطح انتخابکننده فرکانس مورد استفاده قرار میگیرد معرفی می شود. تاثیر لایه سوپراستریت بر روی تلفات برگشتی آنتن میکرواسترپ که توسط پروبتغذیه می شود مورد آزمایش قرار می گیرد. جهت افزایش بازده کل ساختار شامل آنتن میکرواستریپ و لایه سوپراستریت باید تطبیق امپدانسمناسبی صورت پذیرد. با تغییر فاصله ما بین لایه سوپراستریت و آنتن می توان به فرکانس های کاری متفاوتی دست یافت. در طرح نهایی پهنایباندی حدود 12 درصد با دایرکتیویته ای بیش از 14dB حاصل می شود.