ارایه یک سلول تمام جمع کننده باینری 12 ترانزیستوری جدید در مد ولتاژ با فناوری نانو

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 362

فایل این مقاله در 13 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

COMCONF04_090

تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396

چکیده مقاله:

این مقاله یک سلول تمام جمع کننده باینری در مد ولتاژ با فناوری نانو لوله کربنی را مطرح میکند. به دلیل ویژگیهای منحصر به فرد فناوری نانولوله کربنی همچون ویژگی سوییچینگ خوب این مدارها و کاهش ابعاد در ابعاد به اندازه نانو جایگزین مناسبی برای فناوری متداول MOSFET در الکترونیک مقیاس نانو است. کاهش توان، کاهش تعداد ترانزیستورها و همچنین کاهش تاخیر در مدار مورد توجه قرار گرفته و مدار بر این اساس طراحی گردیده است. این سلول تمام جمع کننده با استفاده از برنامه Hspise Synopsys با فناوری CNTFET در ابعاد 32nm شبیه سازی گردیده است. این شبیه سازیها در فرکانسها، دماها و ولتاژهای مختلف صورت گرفته است. نتایج شبیه سازیها نشان دهنده عملیات صحیح و کارآمدی این تمام جمع کننده است.

کلیدواژه ها:

تمام جمع کننده ، توان مصرفی ، ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی ، MOSFET

نویسندگان

مسعود فراهانی

دانشجوی کارشناشی ارشد معماری کامپیوتر، گروه کامپیوتر، واحد رودهن، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مونا مرادی

استادیار کارشناسی ارشد معماری کامپوتر، گروه کامپیوتر، واحد رودهن، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • A. M. Shams and M Bayoumi, "Performance evaluation of 1-bit ...
  • U. Ko, P. Balsara and W Lee, "Low-power design techniques ...
  • M.H. Moaiyeri, R. Faghih Mirzaee, A. Doostaregan, K. Navi and ...
  • K. Navi, S. Sayedsalehi, R. Farazkish and M. Rahimi. "Five-input ...
  • K. Navi, M.H. Moaiyeri and A. Momeni. _ low-voltage and ...
  • P. Avouris, J. Appenzeller, R. Martel and SH. Wind. "Carbon ...
  • S. Goel, A. Kumar and M Bayoumi. "Design of robust, ...
  • catalysed growth of carbon nanotubes with single -atomic-layer -Cobalt؛ 9. ...
  • K. Navi, M. Rashtian, A. Khatir, P. Keshavarzian and O. ...
  • P. McEuen, M. Fuhrer and H. Park. "Single-walled carbon nanotube ...
  • S. Lin, Y. B. Kim and F. Lombardi, Proc. IEEE ...
  • S.A. Ebrahimi, P. Keshavarzian, S. Sorouri, M. Shahsavari. "Low Power ...
  • S. J. Wind, J. Appenzeller, R. Martel, V. Derycke, and ...
  • E. Dubrova. _ Multipl e-valued logic in vlsi : Challenges ...
  • A. Khatibzadeh, and K. Raahemifar, _ study and comparison of ...
  • A. Bachtold :"Logic Circuits with Carbon Nanotube Transistors", VOL 294, ...
  • M.H. Moaiyeri, R. Faghih Mirzaee, K. Navi, and A. Momeni, ...
  • M. Sayed and W. John, "Performance analyseis of single-bit Full ...
  • نمایش کامل مراجع