تابش سینکروترون و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک

اخیرا فناوری نانو مزیتهای قابل توجهی را در ساخت قطعات نانو الکترونیک، نانو مغناطیس و نانو مواد دیگر بوجود آورده است. اغلب این نانو ساختارها به صورت یک لایه نازک روی یک زیر لایه نشانده میشوند. تعیین و شناسایی نوع ساختارشامل اندازه متوسط ذرات، شکل ذرات، نوع توزیع، چگالی ذرات، ضخامت لایه، زبری سطح، ترازهای الکترونی و سایر کمیتهای مهم ساختاری از اهمیت بسیار بالایی برخوردار است. همچنین در فناوری ساخت ادوات نیمه هادی، کنترل وبررسی فرآیند ساخت این ادوات از اهمیت بالایی برخوردار است و بررسی ویژگیهای دینامیکی آنها در حین ساخت تاثیربسزایی در بهبود عملکرد آنها خواهد داشت. در این مقاله، تاکید ما به روشهای مشخصهیابی جدیدی است که بر اساس تابش سینکروترون پایهگذاری شدهاند. به علت پیچیدگی و هزینه بالای نصب و راه اندازی سینکروترون، ایجاد یک منبع نوین اشعهایکس موثر و ارزان، به عنوان جایگزین مناسب برای تابش سینکروترون نیز بسیار ارزشمند است. در راستای تحقق این هدف، ما به بررسی ویژگیهای تابش چرنکوف در ناحیه اشعه ایکس نیز پرداختهایم. نتایج نشان میدهند که چشم انداز خوبی برای توسعه بیشتر و بکارگیری تابشهای الکترومغناطیسی تولید شده در شتابگرهای کوچک وجود دارد.