بررسی اثر طول ناحیه اکساید در ترانزیستورهای نسبی سیلیکون روی عایق

ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق 1 SOI در مقایسه با ترانزیستورهای بدنه سیلیکون bulk مزیت های عمده ای را دارا می باشد اما در کنار این مزایا، عیوبی را نیز شامل می شوند که آثار مخربی بر روی ترانزیستور می گذارند. این مقاله به معرفی ترانزیستورهای جدیدی به نام ترانزیستور نسبی سیلیکون روی عایق 2 PSOI می پردازد؛ که بسیاری از عیوب ترانزیستور SOI را برطرف کرده و دارای عملکرد بهتری نسبت به این ترانزیستور است. در افزاره نسبی سیلیکون روی عایق در ناحیه زیر کانال در لایه اکساید مدفون شده یک پنجره سیلیکونی ایجاد شده و گرما از طریق این پنجره، از کانال به بستر انتقال می یابد. در این مقاله، با انجام شبیه سازی دو بعدی با استفاده از نرم افزار ISE- TCAD و استخراج شاخص های خروجی آن، نشان می دهد که ترانزیستور نسبی سیلیکون روی عایق دارای ولتاژ شکست حالت خاموش بالاتر، اثر خود گرمایی کمتر است و از همین جهت، می تواند جایگزین مناسبی برای ترانزیستور SOI باشد. در آخر ترانزیستور نسبی سیلیکون روی عایق را با سه طول مختلف لایه اکساید بررسی کرده و حالت بهینه معرفی می شود