بهینه سازی پارامترهای ناحیه فعال لیزر آبشاری کوانتومی GaAs/AlGaAs و محاسبه مشخصات خروجی در عملکرد دمای اتاق
محل انتشار: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 461
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_323
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
چکیده مقاله:
یک میدان مغناطیسی قوی در مسیر رشد لیزر ابشار کوانتومی اعمال می شود، ناحیه فعال به طیف حالات انرژی گسسته(سطوح لانداو) بالا می رود. به وسیله ترکیب مهندسی کوانتوم یک لیزر ابشار کوانتومی با یک میدان مغناطیسی ایستا، ما می توانیم فرآیند سکون الکترون غیرتابشی بین سطوح لانداو مربوطه ی یک چاه کوانتومی سه گانه را مانع شویم/ارتقا دهیم و انتخاب یک افزاره تابش سطح قابل تنظیم را تحقق ببخشیم. در این مقاله یک شبیه سازی عددی، به منظور ارایه پارامترهای ناحیه فعال لیزر آبشاری کوانتومی ماده GaAs/AlGaAs و محاسبه ویژگی های خروجی در میدان مغناطیسی را مورد بررسی قرار داده ایم و با تنظیم عرض چاه و ضخامت سد به طراحی بهینه پرداخته ایم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مهدی مهدیخانی
دانشجو کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دوره عالی علوم و تحقیقات تبریز
علی رستمی
دکترای مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه تبریز
سیدسالار حسینی
دانش آموخته کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دوره عالی علوم و تحقیقات تهران دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، تبریز،
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :