ارایه یک تقویت کننده توزیع شده با بهره ی بالا و پهنای باند وسیع درتکنولوژی 130 نانومتر CMOS

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده جدید با بهره ی بالا و همچنین پهنای باند وسیع پیشنهاد شده است. در این تقویت کننده یک سلول بهره ی جدید که در آن از ساختار کاسکید و کاسکود به صورت ترکیبی استفاده میشود. بکار بردن ترکیبی این دو ساختار در یک سلول ، باعث افزایش بهره و پهنای باند به طور همزمان میشود.سلول بهره ی پیشنهادی از سه طبقه ی ترانزیستوری تشکیل شده است و همچنین بالک ترانزیستورهای طبقه ی اول و دوم نیز به منظور داشتن کارایی مطلوب تر به یک ولتاژ dC وصل شده است. تقویت کننده پیشنهادی در این مقاله با استفاده از نرم افزار ADS در تکنولوژی 130 نانومتر شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این تقویت کننده دارای بهره ی نسبتا خوبی حدود dB 22 در طول پهنای باند GHz 20 بدست می دهد. همچنین این تقویت کننده تطبیق امپدانس ، ایزولاسیون معکوس و پایداری خوبی در پهنای باند خود بدست می دهد.