تحلیل عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT با مدل جدید تقریب تدریجی کانال
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 12,597
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_176
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله یک مدل جدید تحلیلی برای بررسی جریان ترانزیستورهای اثر میدانی با ساختار نامتجانس AlGaN/GaN ارائه کردیده که در آن پتانسیل کانال در نواحی بدون گیت به صورت تدریجی تغییر می کند. با درنظر گرفتن این مدل، اثرات فاصله های بین درین- گیت (LGD) و بین گیت- سورس (LGS) بر روی مشخصه های ترابردی ترانزیستورهای اثر میدانی AlGaN/GaN HEMT بررسی شده است. نتایج بدست آمده از محاسبات نشان دهنده کارکرد خوب ترانزیستورها برای LGD بزرگ و LGS کوچک می باشد.
نویسندگان
سعیده محمدی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز