بررسی اثر پتانسیل محیط بر روی انرزی بستگی اکسایتون در نقاط کوانتومی استوانه ای شکل GaN/AlxGa1-xN
محل انتشار: پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 3,512
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP15_160
تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387
چکیده مقاله:
دراین مقاله انرژی حالت پایه اکسایتون درالگوی پتانسیل متناهی برای نقاط کوانتومی استوانه ای شکل GaN که درمحیط( فرمول درمتن اصلی مقاله) محبوس شده اند با استفاده ازروش وردشی محاسبه شده است سپس انرژی بستگی اکسایتون به ازای پتانسیلهای محیط متفاوت که وابسته به ضریب مولارآلیاژ آلومینیوم ( x ) محیط است بدست آورده شده است نتایج بدست آمده نشان می دهند که برای ارتفاع مشخص ازاستوانه نقطه کوانتومی با افزایش ( x ) انرژی بستگی اکسایتون افزایش می یابد .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سمیه اسد زاده
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
اصغر عسگری
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
سعید شجاعی
پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :