طراحی گیت XOR هفت ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت XOR در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک که در جهان امروز دارند و با توجه به محدودیت تعداد ورودی در طراحی گیت XOR با CMOS معمول، ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های XOR با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد. در این مقاله گیت XOR هفت ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 32 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های XOR بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند.