آنالیز تاثیر اعمال پیوند تونلی باند به باند غیر محلی در بهبود عملکرد سلول پیوند دوگانه InGaP/GaAs

امروزه سلول های خورشیدی چندپیوندی با راندمان بالا نسبت به سلول های تک لایه بسیار مورد توجه می باشند. از آن جا که یکی از مهمترین مشکلات استفاده از این سلول ها ایجاد پیوندهای پارازیتی می باشد و با توجه به این که یکی از بهترین راه حل ها جهت حل این معضل استفاده از فرآیند تونل زنی است، بنابراین سعی خواهد شد با استفاده از انتخاب مواد مناسب و ایجاد یک لایه پیوند تونلی، کارایی سلول بهینه گردد. در این مقاله به بررسی ساختار سلول دو پیوندی InGaP/GaAs پرداخته خواهد شد، ضمن این که تلاش می شود با افزودن یک پیوند تونلی InGaP/InGaP راندمان سلول حداکثر شود. از آنجا که بهترین راه برای کسب نتیجه از عملکرد یک سلول پیش از ساخت آن، شبیه سازی می باشد، توسط شبیه ساز ATLAS از نرم افزار Silvaco T-cad به مدل سازی ساختار سلول فوق پرداخته و اثر فرآیند تونل زنی باند به باند غیر محلی روی سلول بررسی شده و نهایتا نتایج حاصل از آن ارایه می گردد.