بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 468
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ECIE03_032
تاریخ نمایه سازی: 22 دی 1396
چکیده مقاله:
دراین مقاله مدل مداری ساختارترانزیستور I-gate مورد بررسی قرارگرفته است پارامترهای مدل مورد بررسی بااستفاده ازنتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده باطول کانال 45نانومتر تنظیم شدها ست اثرتغییرات غلظت نوار P دراتصال بدنه I-gate برروی ساختاربررسی گردید و نمودارهای مربوطه رسم گردید باتوجه به دوپینگ های مختلف ساختارمیتوان نتیجه گرفت که نوارمیانی استفاده شده دراین ساختاردوپینگش ازیک مقدار معین نمی تواند کمتر باشد زیرااستفاده ازدوپینگ نامناسب باعث بالا رفتن مقاومت بدنه و درنتیجه ولتاز بدنه میشود میزان غلظت مناسب بدست آمده برای این ساختار 1e18 cm3 است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
طاهره محمودی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی
دانشیاردانشگاه شهرکرد