بررسی سلول حافظه غیر فرار 8T2R مبتنی بر ممریستور، با ولتاژ تغذیه پایین برای کاربردهای توان پایین

بسیاری از تراشه های SoC، برای رسیدن به کارایی بالا و یا ولتاژ کم در حالت روشن، با قابلیت ذخیره سازی داده ها به صورت غیر فرار، در حالت خاموش مدار، به کار گرفته می شوند. با این حال، این مدارات از سرعت پایین ذخیره و بازیابی اطلاعات به دلیل انتقال سری کلمه به کلمه بین حافظه های فرار و غیر فرار، رنج می برند. سرعت پایین ذخیره و بازیابی به زمان طولانی روشن/خاموش منبع تغذیه منجر شده و دستگاه را در برابر قطع ناگهانی توان، آسیب پذیر می کند. این مقاله یک حافظه مقاومتی (ممریستور) را بر اساس SRAM غیر فرار (یا لچ ممریستور)، برای رسیدن به عملیات ذخیره و بازیابی موازی بیت به بیت به صورت سریع، مصرف انرژی ذخیره و بازیابی کم، همراه با منطقه جمع و جور(صرفه جویی در مساحت)، را پیشنهاد می دهد. این سلول 8 ترانزیستوری مقاومتی غیرفرار (RNV8T )، شامل دو ممریستور نوشتن که به صورت عمودی روی 8 ترانزیستور قرار گرفته اند، و دو سوییچ ممریستور جدید که عملیات کنترل ممریستورها و نوشتن کمکی سلول حافظه را فراهم می کند، می باشد. ویژگی نوشتن کمکی باعث می شود که سلول حافظه RNV8T، سایز ترانزیستورهای مورد توجه برای عملیات خواندن را برای جلوگیری از تخریب سلول در توان های پایین، بهبود بخشد. شبیه سازی این سلول در ولتاژ 0.32 ولت و با نرم افزار HSPICE انجام شده است.