بررسی سد شاتکی در اتصال جانبی بین نانوتیوب - پالادیم به روش تئوری تابع چگالی
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,379
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_222
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
اتصال بین نانوتیوب های تک لایه (SWCNT) و لیدهای فلز، اهمیت زیادی در ساخت ادوات الکترونیکی مخصوصا ترانزیستورهای سد شاتکی دارد. در این مقاله به بررسی اثر سد شاتکی ایجاد شده در اتصال جانبی بین نانوتیوب (8,0) و شبکه <110> پالادیم به روش تئوری تابع چگالی پرداختیم. در نهایت با بررسی سطوح فرمی سیستم اتصالی (نانوتیوب - پالادیم) و نانوتیوب ذاتی ارتفاع سدشاتکی 0.34eV تعیین شد که در مقایسه با مقدار آزمایشگاهی 0.4V از دقت خوبی برخوردار است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علی کاظم پور
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
علی شاه حسینی
دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :