تهیه واریستورهای لایه نازک بر پایه اکسید روی به روش تبخیر به وسیله بمباران الکترونی و بررسی خواص الکتروفیزیکی آنها در دماهای مختلف

امروزه با تبدیل میکرو الکترونیک به نانوالکترونیک ، نیاز به محدودکننده های ولتاژ پایین گسترش یافته است. واریستورهای لایه نازک اکسید روی، گونه ای از مقاومت متغیر ولتاژ پایین هستند که برای محافظت از مدارهای مجتمع در برابر افزایش ناگهانی ولتاژ، از اهمیت ویژه ای برخوردارند. در این پژوهش، لایه های نازکی از واریستورهای اکسید روی آلاییده به مجموعه ای از اکسیدهای B2O3,Bi2O3,Sb2O3,cO3O4,MnO2 به روش تبخیر به وسیله بمباران الکترونی ، روی زیرلایه های سرامیکی تهیه و بازپخت شده و برخی از خواص الکتروفیزیکی آنها نظیر مشخصه جریان - ولتاژ ، ضریب غیر خطی a، ولتاژ شکست و نیز تغییرات رسانندگی الکتریکی در دماها و ولتاژهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته اند. در نهایت بلوری شدن لایه های نازک از طریق الگوی پراش پرتو ایکس XRD بررسی شده است. نتایج نشان میدهند که پیش از بازپخت، لایه های نازک اکسید روی، خواص اهمی دارند و پس از فرایند بازپخت، بلوری شده و مشخصه غیر خطی از خود نشان می دهند.