محاسبه انرژی گاف سیم کوانتومی سیلیکان ساخته شده بر اثر آندیزاسیون سطح به روش تقریب جرم مؤثر

مراجع و منابع این مقاله:

• M. Bruno, M. Palummo, A. Marini, R. Del Sole and ...
• L. T. Canham, Appl. Phys. Lett; 57, (1990) 1040. ...
• F. Koch, in Silicon-R;sei ()rte] _ Mnterinls, 1993, edited by ...
• M. Cruz, C. Wang, M. R. Beltran; Phys. Rev. B, ...
• A. Bsiey, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, ...
• S. Gardelis, J. _ Rimmer, P. Dawson, B. Hamilton, R. ...
• M. Y. Shen and S. L. Zhang; Phys. Lett. A ...
• C. Delerue and M. Lannoo, _، p<trictnnre. 0The، ~rv _ ...
• J. Voit, Rep. Prog. Phys. 58, 1995, 977. ...
• R.Juhasz and J. Linnros; Micro electronic Engineering 61-62, 2002, 563-568. ...
• R. J. Needs, A. J. Read, K. J. Nash, S. ...
• O. Madelung, ed., Phvsics of Group IV Elements and III-V ...
• T. van Buuren, T. Tiedje, J. R. Dahn and B. ...
• S. Eisebitt, J. E. Rubensson, T. Van Buuren, _ N. ...
• T. Monguchi, H. Fujioka, K. Ono, Y. Baba and M. ...
• G. Dalba, N. Daldosson, P. Fornasini, M. Grimldi and R. ...
• H. Yorikawa, T. Sato and S. Muramatsu; Appl. Phys. 95, ...
• G. D. Sanders and Y. C. Chang, Phys. Rev. B ...
• J.-M. Jancu, R. Scholz, F. Beltram and F. Bassani; Phys. ...
• J. M. Luttinger, J. Math. Phys. 4, 1963, 1154. ...
• J. Voit, Rep. Prog. Phys. 58, 1995, 977. ...
نمایش کامل مراجع