بررسی شبیه سازی مکانیک کوانتوم دوبعدی تونل زنی باند به باند توسط دستگاه های تونل زنی کم بعد

یک روش مکانیکی کوانتومی برای محاسبه جریان تونل زنی به کمک فنون در نیمه هادی های غیر مستقیم در یک ساختار دو بعدی نشان داده شده است. با اعمال این روش به دو نوع ترانزیستور TFET سیلیکونی دو گیتی اعمال میکنیم، مشاهده می شود که پیش بینی های نیمه کلاسیکی، نوسانات زیرآستانه و جریان دستگاه را به شدت دست بالا می گیرد. و ما یک چارچوب شبیه سازی مکانیک کوانتومی دوبعدی با استفاده از روش المان محدود و محاسبات جریان تونل زنی در مرحله پس پردازش براساس راه حل هایخودسازگار5 شوردینگر و پویسون ارایه می دهیم. مدل مکانیکی کوانتومی به EHBTFETاعمال میشود و ما متوجه شدیم که تونل زنی مستقیم 2 بعدی از طریق مناطق زیرین ممکن است ویژگی های زیر آستانه چنین دستگاه هایی را تخریب کند نتایج مهمی در مورد وابستگی های جریان های حالت OFF و ON از EHBTFET به دست آمد از جمله، اندازه جریان حالت ON توسط EOT تحت تاثیر قرار نمی گیرد، در حالی که جریان OFF را تحت تاثیر قرار می دهد