جابجایی فرکانس قطع در نانوبلورهای فوتونی شامل مواد ابررسانا

در این مطالعه، طیف تراگسیل نانو بلور فوتونی یک بعدی با بهره گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو نوع بلور فوتونی شامل ابررسانای دمای بالا و پایین مطالعه شده است. نشان دادیم که گاف باندهای فوتونی به تغییرات ضخامت لایه های دی الکتریک و نوع ابررسانا می باشند. نتایج نشان داد که در نانو ساختارهای لایه ای شامل ابررسانا با کاهش ضخامت لایه ابررسانا می توان فرکانس قطع را به سمت فرکانس های کمتر جابجا کرد. اما با حضور ابررساناهای دمای بالا در بلورهای فوتونی در مقایسه با ابررساناهای دمای پایین فرکانس های قطع پایین تری حاصل می شود.