طراحی مرجع ولتاژ زیر یک ولت قابل کاشت در بدن با دقت ppm / میکرومتر15 با استفاده از ترانزیستورهای ذاتی (Native)

در این مقاله با توجه به افزایش نیاز به مراجع ولتاژ با توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین به خصوص در تجهیزات پزشکی، یک مرجع ولتاژ، با استفاده از اختلاف ولتاژ آستانه ( Vth) یک ترانزیستور ذاتی (Native) و یک ترانزیستور معمولی اثر میدان (FET) ارایه شده است. پس از شبیه سازی با استفاده از تکنولوژی 0٫18، مقدار ضریب دمایی ppm°C15 و مقدار حساسیت خط %/V0.98 بدست آمد. حداقل ولتاژ تغذیه برای این مدار 0٫7 و توان مصرفی در دمای اتاق 700 نانو وات و ولتاژ خروجی 370 میلی آمپر است که این مرجع را برای تجهیزات نانو آمپری مناسب میسازد. در انتها برای بیاثر کردن تغییرات پروسه یک روش برای تنظیم دیجیتال این نوع مراجع ولتاژ ارایه شده است.