بررسی تاثیر میدان الکتریکی برروی مواد دو بعدی گرافن و سیلیسن

گرافن یکی از مواد دو بعدی با خواص الکتریکی، مکانیکی و فیزیکی برجسته میباشد، لیکن نبود شکاف نوار در گرافن آن را برای کاربرد های الکترونیکی با محدودیت مواجه کرده است. یکی از روش های ایجاد شکاف اعمال میدان الکتریکی به این ماده می باشد. از دیگر مواد دو بعدی سیلیسن میباشد که تک لایه ای از سیلیکون است و با استفاده از چنین موادی می توان به تجهیزات الکترونیکی مبتنی بر آن با عملکرد روشن و خاموش مورد نیاز ترانزیستورها دست یافت. نتایج ما نشان میدهد اعمال میدان الکتریکی به این مواد منجر به گذاری از هادی به نیمه هادی می شود. بنابراینامکان انتقال الکترون ها به سطح بالاتر انرژی شده و بین دو حالت روشن وخاموش فراهم می شود. با دستیابی به چنین فناوری،توسعه ترانزیستورهای مبتنی بر مواد دوبعدی بسیار آسان تر خواهد شد.