بررسی اثر اندازه و آلاییدگی با اتم بور و نیتروژن بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماسی اشباع شده با هیدروژن با استفاده از نظریه تابعی چگالی
محل انتشار: یازدهمین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری
سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 386
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAA11_051
تاریخ نمایه سازی: 11 شهریور 1397
چکیده مقاله:
در این پژوهش اثر اندازه و همچنین آلاییدگی با اتم بور و نیتروژن بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماسی که با هیدروژن اشباعشده، بررسی شده است. نانوسیم های الماسی مورد نظر با پیکربندی استوانه ای وجهت گیری رشد [001] انتخاب شده اند.روش بررسی نظریه تابعی چگالی (DFT) است. نتایج محا سبات نشان می دهد گاف الکتریکی نانو سیم الماسی هنگامی که با هیدروژن اشباع می شود در مقای سه با الماسحجیم کاهش می یابد. این پدیده به علت بالابودن نسبت سطح به حجم و به وجود آمدن ترازهای سطحی میان گاف الکتریکیرخ می دهد. همچنین اثر حصر کوانتومی گاف الکتریکی را با افزایش قطر نانوسیم کاهش می دهد. بررسی ساختارهای فونونینشان می دهد که نانوسیم های الماسی آلاییده با بور و نیتروژن پایدار هستند و افزودن آلاییدگی بور نانوسیم را به نیمرساناییبا گاف الکتریکی کوچکتر تبدیل می کند. آلاییدگی با نیتروژن نیز باعث رسانا شدن نانوسیم می شود.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
زهراسادات حسن زاده
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه امیرکبیر
زهرا حمیدیا
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه امیرکبیر
فرح مرصوصی
استادیار و عضو هییت علمی دانشگاه امیرکبیر