بررسی اثر محدودیت کوانتومی در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی با ساختار ناهمگون

دراین مقاله به بررسی اثر محدودیت کوانتومی بر ساختار باندهای ترانسیتورهای اثر میدان تونلی می پردازیم. همچنین اثرات آن را بر رویمشخصات الکتریکی افزاره با تغییرات ضخامت کانال ترانزیستور بررسی میکنیم. در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی از مکانیسم تونل زنی ازداخل سد پتانسیل برای حامل ها استفاده می شود و با بکارگیری تونل زنی باند به باند (BTBT) در این ترانزیستور می توان بر محدودیت هایی که با کاهش اندازه در ماسفت اتفاق می افتد غلبه کرد. به منظور کوچک سازی بیشتر اجزای افزارها به مقیاس نانومتر، اثرات محدودیت کوانتومی نمایان می شوند. با توجه به اینکه تونلزنی در محل اتصال سورس و کانال رخ میدهد بررسی دیاگرام باندها خصوصا برای ساختارهای ناهمگون بسیار مورد توجه قرار می گیرد.