طراحی تقویت کننده کم نویز با فرکانس کاری Ghz 4.2

تقویت کننده های کم نویز معمولا اولین بلوک بعد از آنتن هستند و وظیفه آنها تقویت سیگنال دریافتی ازآنتن بدون افزودن هرگونه نویز و اعوجاج است. از مهمترین مشخصات تقویت کننده های کمنویز بهره بالا، توان مصرفی کم، تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی، عدد نویز کم و حجم کم آنها است. از این رو از فناوری CMOS به دلیل داشتن مشخصاتی چون ضریب کیفیت بالا، قابلیت مجتمع سازی بالا، توان کم مصرفی و فرکانس قطع بالا در ساخت تقویت کننده های کمنویز در رنج فرکانسی اولترا واید باند استفاده میشود. تاکنون تقویت کننده های کم نویز مبتنی بر تکنینکهای مختلف طراحی و ساخته شده است اما هنگاهی که بحث مجتمع سازی تقویت کننده های کمنویز مطرح میشود، مشکلات عدیده حل نشده ای مانند عدم تطبیق مناسب امپدانس ورودی و خروجی به دلیل وجود عناصر پارازیتی در هنگام ساخت و توان تلفاتی بالا به وجود میآید.در این مقاله تقویت کننده کم نویز با بهره بالا و تطبیق امپدانس مناسب همراه با عدد نویز کم طراحی شده است. تقویت کننده طراحی شده در تکنولوژی µm CMOS TSMC0.81 با استفاده از نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. از این رو در این مقاله با استفاد از تکنولوژی cmos و بهره گرفتن از خواص سلفی و خازنی سعی شده است پارامتر های ذکر شده را بهبود بخشیده و به اعدادی دست پیدا کرد که نشان دهنده این باشد که تقویت کننده به نحوه خوبی کار می کند.