تاثیر عیوب هندسی بر هدایت حرارتی تک لایه mos2با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی

هدف اصلی مقاله حاضر محاسبه رسانش حرارتی نانوساختار تک لایه مولیبدن دی سولفید Mos2 در حضور عیوب مختلف با استفاده از روش دینامیک مولکولی غیرتعادلی می باشد. برای شبیه سازی از بسته محاسباتی لمپس* استفاده شده است. ابتدا هدایت حرارتی تک لایه بدون حضور عیب با استفاده از پتانسیل استیلینگر وبر محاسبه شده، سپس تک لایه با عیوب جای خالی ایجاد شده و هدایت حرارتی در حضور این عیوب با استفاده از روش شبیه سازی دینامیک مولکولی محاسبه میشود. نتایج حاکی از آن است که در حضور 0/4% عیب مولیبدن، هدایت حرارتی تا حدود 25%کاهش می یابد علت اصلی کاهش هدایت حرارتی در حضور عیوب، تغییر نوع حرکت فونونها از مستقیم به نفوذی است.