شبیه سازی ساختار نوار گرافن و فسفرن تحت میدان الکتریکی

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 652

فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

DESCONF01_202

تاریخ نمایه سازی: 5 آبان 1397

چکیده مقاله:

گرافن اولین نمایش و بیشترین ماده ی تجربه شده از دو بعدی ها است که ساختاری کریستالی از اتم هایکربن (Sp(2 دارد و به صورت لایه ی تک اتمی در شبکه ی شش وجهی جمع شده است. ویژگی هایفوق العاده آن که نظیر رسانایی گرمایی عالی اثرات سازگاری کوانتمی است. اگرچه فقدان شکاف باندی درگرافن محدودیتی برای استفاده در وسایل الکترونیکی را ایجاد می کند،اما یکی از روش های ایجاد شکاف،اعمال میدان الکتریکی به این ماده می باشد.فسفر سیاه بیشترین ویژگی های قابل وجه اتم از آنیستروپیقوی و ظرفیت بالا را شامل می باشد. با اعمال میدان الکتریکی به مواد دوبعدی علاوه بر ویژگی های عالیآنها می توان شکاف باندی قابل تنطیمی ایجاد نمود که درادوات اپتوالکترونیک و الکترونیک دیجیتالکاربرد وسیعی دارند.

نویسندگان

حامد طاهری

گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران

مریم نیری

گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران

محمدرضا شایسته

گروه برق، دانشکده فنی مهندسی، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران