مقایسه طراحی مدار اینورتر CMOS و FinFET در ناحیه زیر آستانه با تکنیک کاهش جریان نشتی
محل انتشار: سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 558
فایل این مقاله در 20 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE03_201
تاریخ نمایه سازی: 18 اسفند 1397
چکیده مقاله:
در این مقاله خلاصه ای از تفاوت عملکرد یک اینورتر بوت استرپ CMOS در تکنولوژی 90 نانومتر با FinFET درتکنولوژی 20 نانومتر در ناحیه زیر آستانه با تکنیک کاهش جریان نشتی می باشد.در این مقاله نشان داده شده است که توان مصرفی وتوان نشتی در مدار با طراحی FinFET نسبت به مدار CMOS کاهش یافته است اما تاخیر مدار CMOS کمتر از آن است و در نهایت شاهد این خواهیم بود که PDP و EDP مدار FinFET بهینه تر از مدار CMOS خواهد بود.همچنین نشان داده شده است که بارهای مختلف چه تاثیری در توان مصرفی خواهند گذاشت.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
علیرضا حسن زاده
استادیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه شهید بهشتی
شایان هاشمی ایزیی
دانشجو کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرکز