شبیه سازى و تحلیل ترانزیستور اثر میدانى غیر پیوندى تونلى ( JLTFET ) درمحیط نرم افزار سیلواکو با هدف تعیین میزان اثرپذیرى شاخص هاى مهم از مهندسى گیت

در این مقاله به ارایه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستور اثرمیدانی غیرپیوندی تونلی (JLTFET) پرداخته شده است که با استفاده از شبیه سازی ایده های مهندسی گیت همچون استفاده از گیت چند فلزی در صدد بهبود پارامترهای الکتریکی ترانزیستور فوق مثل جریان روشنایی، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنایی به خاموشی و... هستیم. با بررسی شبیه سازی های صورت گرفته، نتایج ساختارهای مختلف با یکدیگر مقایسه شده و ساختار بهبود یافته معرفی می شود.