تاثیر ناخالصی الکتریکی بر ترابرد اسپینی در یک سیم کوانتومی مغناطیسی جفت شده به دو رینگ کوانتومی
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1387
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,178
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC87_264
تاریخ نمایه سازی: 24 آذر 1388
چکیده مقاله:
در این مقاله تاثیر ناخالصی الکتریکی بر ترابرد اسپینی در یک سیم کوانتومی مغناطیسی جفت شده به دو رینگ کوانتومی (متاثر از شار مغناطیسی) در مدل بستگی قوی و روش تابع گرین در فرمول بندی لاندائور مورد بررسی قرار گرفته است. حضور ناخالصی الکتریکی جایگزیده در مرکز سیم به دلیل فرونشانی تداخل تناوبی در سیستم، منجر به افزایش کانال های رسانش و ترابرد وابسته به اسپین در سیستم می شود. همچنین در حضور شار مغناطیسی پیک های رزونانسی بیشتری به دلیل جابجایی حالات تبهگن در ویژه حالات انرژی پدیدار می شود. ناخالصی الکتریکی رفتار نوسانی آن هارا تغییر می دهد.
نویسندگان
فاطمه آئینه وند
گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرج
امیرحسین احمدخان کردبچه
مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات، گروه فیزیک دانشگاه ایران