اثر تغییرات توزیع فضایی دوپه بر روی تزریق اسپین قطبیده در پیوندگاه p-n مغناطیسی

امروزه ترابرد وابسته به اسپین در ساخت قطعات جدید الکترونیکی که در آن ها اسپین الکترون ها نقش کلیدی دارد اهمیت بسیار پیدا کرده است. بنابراین در اسپینترونیکیا اسپین الکترونیک نیم رسانا مطالعه کنترل و میزان سوق دهی اسپین الکترون در سیستم های نیم رسانا برای ما بسیار مطلوب است. در اینجا اثر تغییرات توزیع فضایی دوپه را در یک پیوندگاه p-n که ناحیه p آن غیر مغناطیسی و ناحیه n آن مغناطیسی می باشد را بررسی می کنیم. این بررسی ها با استفاده از روش سوق- پخش انجام شده اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند قطبش اسپینی تزریق شده در ناحیه p را می توان افزایش داد.