ترانزیستور اثر میدان تونلی بر پایه سیلیکون و ژرمانیوم برای محاسبه توان کم
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 464
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEC04_082
تاریخ نمایه سازی: 29 اردیبهشت 1398
چکیده مقاله:
در این مطالعه ما با طراحی ساختار جدید TFET به عنوان ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی عمودی (FAVFET) به پتانسیل مقیاس پذیری قابل مقایسه با FinFET رسیدیم و با اضافه شدن مزایای پیچیدگی فرایند ذخیره سازی که بسیار ذخیره شده است. همچنین، ما عمدتا بر طراحی و اجرای ترانزیستور اثر میدان تونلی بر پایه سیلیکون ژرمانیوم تمرکز کرده ایم، با هدف کاهش ولتاژ کارکرد دستگاه تا کمتر از 0.5V می باشد. ما مدل سازی TCAD را با توجه خاصی به تغییر ساختار باند سیگنیک ژرمانیوم سیلیکون انجام دادیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
غلامرضا لشکری
دانشجو، دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه آزاد اسلامی ماهشهر
ایمان عباس پور کازرونی
استادیار گروه مهندسی برق، مجتمع آموزش عالی فنی مهندسی اسفراین، اسفراین
هادی مهدی پور حسین آباد
استادیار گروه مهندسی برق، مجتمع آموزش عالی فنی مهندسی اسفراین، اسفراین