تاثیر لایه ابررسانای دمای پایین Al در طیف تراگسیل نانو بلورهای فوتونی

در این مطالعه، طیف عبور نانو بلور فوتونی یک بعدی شامل ابررسانای دمای پایین آلومینیوم، با بهره گیری از روش ماتریس انتقال مطالعه شده است. نشان دادیم که گاف باندهای فوتونی به مشخصات ابررسانا از جمله ضخامت لایه های ابررسانا وابسته هستند . طوریکه با افزایش ضخامت لایه ابررسانا هرچند محدوده گاف باند تغییر محسوسی ندارد اما گاف باندها با همان گستره به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شوند. همچنین نتایج نشان داد که در نانو ساختارهای لایه ای شامل ابررسانا با کاهش ضخامت لایه ابررسانا می توان فرکانس قطع را به سمت فرکانس های کمتر جابجا کرد. از آنجایی که تابع دی الکتریک مواد ابررسانا در اثر دما به شدت تحت تاثیر قرار می گیرد. مطالعه تاثیر افزایش دمای محیطی در طیف تراگسیل نانو ساختار مورد مطالعه نشان داد که با افزایش دمای اعمالی می توان به فرکانس های قطع بالاتری دست یافت. مطالعه چنین ساختارهایی در طراحی مدارات تمام نوری مفید واقع می شود.