یک توپولوژی جدید برای طراحی ضربکننده آنالوگ CMOS مبتنی بر حلقه Translinear

این مقاله یک روش جدیدی را برای طراحی مدار ضرب کننده آنالوگ – CMOS پیشنهاد میدهد که در چهار ربع عمل می کند. این مدار مبتنی بر دو حلقه Translinear تمام PMOS می باشد و ورودی های آن از نوع جریان هستند. توان مصرفی پایین مدار ضرب کننده ناشی از استراتژی جدید به اشتراک گذاشتن شاخه بایاس می باشد. پهنای باند گسترده و همچنین عملکرد آزاد از اثر بدنه از مزایای دیگر مدار هستند. برای تایید عملکرد مدار از آن به عنوان مدولاتور و دو برابر کننده فرکانس استفاده شده است و نتایج شبیه سازی آن ارائه شده است. این مدار با استفاده از شبیه ساز HSPICE با مدل TSMC مرحله 49 (BSIM3v3) در تکنولوژی 0/35 میکرومتر استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. که نتایج حاکی از خطای غیر خطی 0/93 درصد، اعوجاج هارمونیک کل 0/98 در فرکانس 1 مگا هرتز، پهنای باند 736 مگاهرتز و حداکثر توان مصرفی 0/09 میلی وات می باشد.