بررسی و شبیه سازی تاثیرات کاهش گستره هم پوشانی سورس ودرین با گیت بر روی جریان درین و ولتاژ آستانه در یک ترانزیستور سیلیکون بر عایق ( SOI-MOFET)
محل انتشار: دومین کنفرانس ملی مهندسی برق
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,712
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC02_029
تاریخ نمایه سازی: 7 بهمن 1388
چکیده مقاله:
در تکنولوژی روز دنیا ترانزیستورهای گستره درین نا متقارن (ADSE ) به خاطر بهبود اثرات کانال در تکنولوژی بلای 32 نانو متر اهمیت بالایی پیدا کرده است. یکی از اثرات گستره نامتقارن تاثیر بر روی جریان درین می باشد. به عبارتی جریان درین متناسب با تغییر میزان هم پوشانی بین قسمت سورس یا درین با گیت تغییر می کند. ما در این مقاله در دو حالت تاثیر این تغییرات گستره هم پوشانی را برجریان درین و همچنین بر ولتاژ آستانه مورد بررسی قرار داده ایم تا اثر افزایش طول کانال و تغییر میزان هم پوشانی را تفکیک کنیم. شبیه سازی و بررسی نتایج به کمک نرم افزار silvaco-atlas در این مقاله آورده شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محسن خانی پرشکوه
گروه برق- دانشگاه تربیت معلم سبزوار
ایمان عباسپور کازرونی
گروه فیزیک- دانشگاه تربیت معلم سبزوار
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :