تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت کمنویز با ولتاژ پایین برای کاربردهایUWBدر تکنولوژی CMOS 0.18μm

در این مقاله یک تقویت کننده کم نویز فراپهن باند 1(UWB) در محدوده فرکانسی 3/1 تا 10/6 گیگاهرتز با دو ولتاژ خیلی پایین 0/8و 0/9ولت ارائه شده است. این مقاله در تکنولوژی CMOS 0.18µm پیاده سازی شده است، که مدار پیشنهادی از دو طبقه تقویت کننده توزیع شده 2 غیریکنواخت کسکود و یک طبقه تقویت کننده کسکود به طور متوالی برای دسترسی به پهنای باند وسیع استفاده شده است به طوری که با ایجاد خطوط انتقال غیریکنواخت در پورتهای تقویت کننده، پهنای باند و بهره تبدیل تقویت کننده پیشنهادی در محدوده عملیاتی فراپهن باند (UWB) افزایش مییابد. در این کار، تقویت کننده توزیع شده غیریکنواخت با استفاده از تکنولوژی CMOS 0. 18 μm طراحی و شبیه سازی شده است، که پهنای باند تقویت کننده پیشنهادی برابر 30 GHz، میباشد و همچنین با استفاده ازسلف دیجنریشن 3 در سورس ترانزیستورهای تقویتکننده، نویز فیگر4 مدار پیشنهادی کاهش مییابد. در مدار پیشنهادی تلفات برگشتی S11 دارای مقداری کمتر از -10dB میباشند و بهره ی مدار برابر با 13dB میباشد. نویز قابل قبولی در حدود 5/2 dB و IIP3 برابر 0dBm حاصل شده است، همچنین توان مصرفی مدار طراحی شده برابر 31/34 mW میباشد و مساحت اشغال شده تقویت کننده پیشنهادی برابر با0/61 0/22mm2 میباشد.