ترانزیستور ماسفت سه گیتی با استفاده از دیود تونل زنی سیلیسیم-ژرمانیم برای بهبود اثر بدنه شناور
سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 353
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-48-3_004
تاریخ نمایه سازی: 17 تیر 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه های ماسفت سه گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت های سه گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می یابد. در ساختار ارائه شده برای جلوگیری از تجمع حفره ها درون سطح کانال از سیلیسیم-ژرمانیوم استفاده شده است. این کار باعث کاهش اثر بدنه شناور (FBE)، اثر خودگرمایی (SHE) و جریان چگالی حفره ها در ماسفت های سه گیتی می شود. نتایج این ساختار با نرم افزار Silvaco به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سیدسعید افضلی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان
زینب رمضانی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر - دانشگاه سمنان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :