مدل تحلیلی جریان الکتریکی مبتنی بر بار با در نظر گرفتن میدان الکتریکی عرضی برای نانو ترانزیستور ماسفت دوگیتی

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 330

فایل این مقاله در 12 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-48-4_040

تاریخ نمایه سازی: 22 تیر 1398

چکیده مقاله:

در این مقاله، برای ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن با آلایش کم با استفاده از انتقال نفوذی و رانشی حامل های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است.  نخست، با استفاده از معادله پواسون یک بعدی کانال بلند در جهت عمود بر کانال در حضور حامل های متحرک بار، معادله دیفرانسیلی برای بار کانال به دست می آید که پاسخ آن تغییرات مولفه غلظت بار کانال بلند را در امتداد عمود بر کانال نشان می دهد. پتانسیل یک بعدی کانال بلند با استفاده از این مولفه محاسبه می شود. مولفه دوبعدی پتانسیل کانال کوتاه که ناشی از اثر میدان الکتریکی عرضی در ادوات کانال کوتاه است، از حل معادله لاپلاس به دست می آید و از طریق آن، مولفه دوبعدی تغییرات غلظت بار محاسبه می شود. غلظت کلی بار کانال از جمع دو مولفه بار کانال بلند و بار کانال کوتاه به دست می آید. با استفاده از بار کل محاسبه شده و قانون گوس در زیر گیت در هر نقطه در امتداد کانال، بار وارونه در آن نقطه محاسبه می شود. برخلاف مدل های موجود که بار وارونه را فقط با استفاده مولفه کانال بلند بار در راستای عمود بر کانال محاسبه می کنند، در روش پیشنهادی نشان داده می شود که مولفه بار دو بعدی کانال کوتاه ناشی از اثر میدان الکتریکی عرضی نیز در راستای عمود بر کانال تغییرات دارد که در محاسبه بار وارونه کل کانال تاثیرگذار خواهد بود و در ادوات کانال کوتاه باید در نظر گرفته شود. تطبیق مناسب بین نتایج حاصل از مدل و نتایج شبیه سازی  با نرم افزار، دقت مناسب مدل پیشنهادی را نشان می دهد.

نویسندگان

سید امیر هاشمی

گروه مهندسی برق - دانشکده فنی و مهندسی - دانشگاه شهرکرد

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • پرویز امیری، محمود صیفوری، بابک آفرین و آوا هدایتی پور، ... [مقاله ژورنالی]
  • اکرم امیری و سیروس طوفان، مبدل زمان به دیجیتال رزولوشن ... [مقاله ژورنالی]
  • A. Tsormpatzoglou, C.A. Dimitriadis, R. Clerc, Q. Rafhay, G. Pananakakis ...
  • I. Ferain, C.A. Colinge and J. Coling, Multigate transistors as ...
  • P Razavi and A.A. Orouji, Dual material gate oxide stack ...
  • S. Mohammadi, A. Afzali-Kusha and S. Mohammadi, Compact modeling of ...
  • M. Bhartia and A.K. Chatterjee, Modeling the drain current and ...
  • R. Shankar, G. Kaushal, S. Maheshwaram, S. Dasgupta and S.K. ...
  • H.A.E. Hamid, J.Roig Guitart and B.Iníguez, Two-dimensional analytical threshold voltage ...
  • Y. Taur, X. Liang, W. Wang and H. Lu, A ...
  • A. Oritiz-Conde, F.J.G. Sonchez and J. Muci, Rigorous analytic solution ...
  • A.S. Roy, J.M. Sallese and C.C. Enz, A closed-form charge ...
  • J.P. Duarte, S. Choi, D. Moon, J. Ahn, J. Kim, ...
  • J. He, F. Liu, J. Zhang, J. Feng, J. Hu, ...
  • S. Mohammadi and A. Afzali-Kusha, Modeling of drain current, capacitance ...
  • J.P. Duarte, S. Choi, D. Moon, J. Ahn, J. Kim, ...
  • M. Gholizadeh and S.E. Hosseini, A 2-D analytical model for ...
  • J.P. Duarte, S.J. Choi and Y.K. Choi, A full-range drain ...
  • A. Yesayan, F. Jazaeri and J.M. Sallese, Charge-based modeling of ...
  • X. Jin, X. Liu, M. Wu, R. Chuai and J. ...
  • R.K. Baruah and P.P. Roy, A surface-potential based drain current ...
  • C. Jiang, R. Liang, J. Wang and J. Xu, A ...
  • T.A. Oproglidis, A. Tsormpatzoglou, D. Tassis, T.A. Karatsori, S. Barraud, ...
  • F. Ávila-Herrera, B.C. Paz, A. Cerdeira, M. Estrada and M.A. ...
  • H.C. Pao and C.T. Sah, Effects of diffusion current on ...
  • D. Munteanu, J. Autran and M. Moreau, Quantum compact model ...
  • M. Balaguer, J.B. Roldan, L. Donetti and F. Gamiz, Inversion ...
  • S. Shee, G. Bhattacharyya and S.K. Sarkar, Quantum analytical modeling ...
  • R. Hosseini, M. Fathipour and R. Faez, Quantum simulation study ...
  • Silvaco. Inc., ATLAS user’s manual, Santa Clara, USA, 2005. ...
  • نمایش کامل مراجع