بررسی طول موج نشری از نانوسیم GaN/InxGa1-xN/GaN با سطح مقطع شش ضلعی تغییر شکل یافته

نیتریدهای گروه III در تولید تجهیزات نوری بویژه دیودهای نورگسیل ( ( LED کاربردهای زیادی دارند. استفاده از این ترکیبات محاسن زیادی دارد که از آنجمله میتوان به دامنه وسیع نور سفید تولیدشده، غیرشکننده بودن، غیرسمی بودن و حداقل اثرات منفی زیست محیطی اشاره کرد. ساختارهای GaN/InxGa1-xN/GaN میتوانند برای تولید دیودهای آبی - سبز مورد استفاده قرار گیرند. مطالعات تئوری میتواند درک بهتری از چگونگی عملکرد این مواد و همچنین ساخت هرچه دقیق تر آنها در اختیار ما قرار دهد. الیور مارکارت و همکارانش با استفاده از مدل تئوری k.p هشت باند و به کمک نرمافزار SPHINX موفق شدند اثردرصد In و همچنین اثر اندازه لایه های متصل در دیود GaN/InxGa1-xN/GaN را مطالعه کنند.[1] در آن مطالعه برای نانوسیم یک سطح مقطع ششضلعی منتظم در نظر گرفته شد و نتایج تحقیقات انجام شده تطابق خوبی با تجربه نشان میداد. تغییر شکل و اندازه سطح مقطع یک نانوسیم علاوه بر تغییر اندازه لایه های متصل به آن میتواند در خواص نوری آن نانوسیم تاثیرات زیادی داشته باشد. در این مقاله علاوه بر مطالعه اثر درصد In در دیود GaN/InxGa1-xN/GaN قصد داریم با تغییر سطح مقطع از حالت شش ضلعی منتظم به شش ضلعی نامنتظم اثر سطح مقطع نانوسیم را بر خواص آن به کمک تئوری k.p هشت باند مورد مطالعه قرار دهیم. این نتایج میتواند ایده هایی برای تولید نانوسیمهای جدید دربر داشته باشد.