تاثیر دو روش نشست جوششی و الکتروفورتیک نانو ذرات دی اکسید سیلیکون بر افزایش شار حرارت بحرانی

در این مطالعه جهت افزایش شار حرارت بحرانی از دو روش پوشش دهی جوششی و الکتروفورتیک استفاده شده است. در هر یک از این دو روش، پوشش دهی در سه مدت زمان مشخص با ثابت نگه داشتن سایر پارامترها صورت پذیرفته و همچنین جهت بررسی سطوح پوششی، عکس های SEM1 و EDS2 گرفته شده و زاویه تماس نیز اندازه گیری شده است. با استفاده از این دو روش سطوح آبدوست و فوق آبدوست ایجاد شده ، منحنی جوشش و شار حرارت بحرانی اندازی گیری و با روابط تجربی و تحلیلی موجود مقایسه گردید. نتایج نشان داد که زاویه تماس برای سطوح پوش دهی شده به روش جوشش استخری کمتر از روش الکتروفورتیک است و در نتیجه شار حرارت بحرانی به مقدار قابل توجهی افزایش می یابد. همچنین نتایج شار حرارتی بحرانی در این مقاله به نتایج تجربی (سو و چن) نسبت به روابط تحلیلی و نیمه تحلیلی نزدیک تر می باشد.