بررسی چگالی جریان-ولتاژ و خواص اپتیکی ترکیب قلع با کنترل نرخ لایه نشانی و ضخامت در دیود نورگسیل آلی

یکی از اهداف اصلی و بهینه سازی های صورت گرفته در این تحقیق افزایش نرخ تزریق حامل های اقلیت (الکترون ها) با استفاده از کنترل نرخ و ضخامت لایه نشانی کمپلکس فلزی قلع است. ساختار مورد تحقیق ITO/PEDOT:PSS/PVK/Sn/Al است. افزایش نرخ تزریق حامل های اقلیت الکترون در سطح مشترک Sn/Al با استفاده از کنترل نرخ لایه نشانی و ضخامت در لایه نورگسیل Sn صورت گرفت. در ضخامت بهینه 10 نانومتر دیود نور گسیل آلی با مشخصات الکتریکی و اپتیکی بالا بدست آمد.. ولتاژکاری دیود با ضخامت 10 نانومتر در حدود 3.8 ولت می باشد. تکنیک ارائه شده در لایه نورگسیل می تواند در شاخه های دیگر مانندقطعات اپتیکی نیمه رسانا نیز بعنوان تکنیکی موثر در افزایش قابل توجه بهره الکترولومینسانس وکاهش ولتاژ کاری قطعه استفاده شود.