برانگیختگی ها اپتیکی و انرژی های شبه ذره در ساختار لانه زنبوری تک لایهAlN

ما ساختار الکترونی و خواص اپتیکی تک لایه AIN را بر اساس اصول اولیه تابع گرین بس ذره ای و فرمولبندی معادله بله سال پیتر محاسبه شده است. ما بدست آوردیم که گاف غیرمستقیم مستقیم) تک لایه AN با استفاده از تصحیحات شبه ذره eV ) 5 eV 5 . 54) است، اما گاف غیر مستقیم (رمستقیم آن با استفاده از نظریه تابعی چگالی مقدار eV ) 2 . 97 eV 3 . 69) دارد. محاسبات نشان می دهند که جذب اپتیکی حساس به اثرات اکسیتونی همانند برهمکنش الکترون حفره می باشد، که انرژی بستگی اولین اکسیتون با محاسبات معادله بته سالپیئر و شبه ذره برابر مقدار eV 3 . 8 است. اثرات اکسیتونی افزوده شده در تک لایه AIN می تواند برای توصیف خواص اپتیکی در قطعات نانو اپتوالکترونیک استفاده شوند.