بررسی تاثیر دما روی پذیرفتاری مرتبه سوم نقطه کوانتومی کرویGaN/AlGaN
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1393
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 208
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_161
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
در این مقاله ساختار جدیدGaN/ALxGa1-xNبراساس قرار دادن یک ناراستی در درون نقطه کوانتومی کروی ارائه شده است. اثر تغییرات دما روی پذیرفتاری نوری مرتبه سو م با حل عددی معادله شرودینگر مستقل از زمان بررسی شده است. استفاده از معادلات وابسته به دما برای چگالی حاملین بار موثر باند رسانش، گاف انرژی و جرم موثر منظور شده است . نتایج نشان می دهند با افزایش دما مقدار پذیرفتاری نوری مرتبه سوم افزایش می یابد . این نتیجه برای کاربردهای صنایع الکترواپتیک اهمیت زیادی دارد.
نویسندگان
علی واحدی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، گروه فیزیک، تبریز، ایران
محمد کوهی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، گروه فیزیک، تبریز، ایران
سمیه درویشی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، گروه فیزیک، تبریز، ایران