تاثیر تغییر ضخامت لایه ها در اختلاف فاز بازتابی از بلورهای فوتونی یک بعدی شامل مواد تک منفی

در این مقاله اختلاف فاز بین دو موج پلاریزه ی الکتریکی عرضی و مغناطیسی عرضی بازتابی از گاف باند دوم یک بلور فوتونی متشکل از مواد اپسیلون- منفی و میو- منفی به صورت تابعی از ضخامت لایه های تشکیل دهنده ی ساختار بررسی شده است. فرض شده است که پریود ساختار ثابت است. سپس نشان داده شده است که پهنای گاف باند همه سویه ی دوم ساختار، به نسبت ضخامت دو لایه ی تشکیل دهنده ی بلور فوتونی بستگی دارد. بعلاوه، مقدار اختلاف فاز تقریبا از نسبت ضخامتهای دو لایه مستقل است، در حالیکه با زاویه ی تابش و فرکانس امواج در ناحیه ی گاف باند دوم تغییر میکند.