بررسی سازوکارشکست درگوشه های نوک تیزاتصالات P-Nدرماسفت های کربیدسیلیسیم وارایه یک ساختارجدید برای افزایش ولتاژ شکست
محل انتشار: کنفرانس فیزیک ایران 1393
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 378
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC93_476
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
ساختارهای اتصال نوک تیزدرماسفت ها وادوات نیمه هادی قدرت کربید سیلیسیم باعث ایجادشکست درداخل ساختارومحدود کردن ولتاژ شکست می گردد دراین مقاله یک اتصال نیمه هادی کربید سیلیسیم نوک تیز و پدیده تجمع میدان درآن مورد بررسی قرارگرفته و راهکاری برای کاهش پدیده تجمع میدان و به تبع آن افزایش ولتاژ شکست ارایه می گردد پدیده تجمع میدان درنوک تیزاتصال به میزان زیادی باعث کاهش ولتاژ شکست میگردد که تابحال مورد توجه و بررسی دقیق قرارنگرفته است دراینجا یک اتصال نوک تیزبررسی و ساختاری جدید برای افزایش ولتاژ شکست ارایه می گردد کلیه شبیه سازی ها بانرم افزار ATLAS انجام شده و نتایج ساختارجدید با ساختارمعموری مقایسه گردیده است
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمد جوزی نجف آبادی
دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر دانشگاه سمنان
عاطفه رحیمی فر
دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر دانشگاه سمنان