بررسی عمق نفور امواج آلفون پیچشی در پلاسمای مقاومتی یونسفر

امواج آلفون نقش مهمی در ایجاد جریانهای همتراز با میدان ، انتقال و تبدیل انرژی در پلاسمای یونسفر دارد، اثر مهم تزویج یا کوپلشدگی یونسفر با میدان مغناطوسپهر ایجاد جریانهای سطحی در یونسفر میباشد، جریانهای سطحی با جریانهای هم تراز میدان مغناطیسی زمین در یونسفر تزویج میشوند. اثر مهم این تزویج ایجاد پالس های تراکمی است که میتوانند از بین خطوط میدان مغناطسی زمین عبور کنند و منتشر شوند که تا بالای لایه E نیز منتشر میشوند. فرکانسهای پایین این پالسها منجر به تولید امواج آلفون پیچشی میشوند، امواج آلفون پیچشی در طول خطوط میدان مغناطیسی زمین منتشر میشوند که از لایه های بالای یونسفر در جهت میدان مغناطیسی زمین به سمت شفق قطبی منتشر میشوند. همچنین پلاسمای یونسفر به دلیل وجود برخورد بین ذرات آن دارای رسانش الکتریکی است که اثر مقاومتی بر انتشار امواج آلفون دارد. در این مقاله با استفاده از معادلات MHD تک سیالی مقاومتی و معادلات ماکسول رابطه پاشندگی مخصوص امواج آلفون پیچشی در حضورپلاسمای مقاومتی یونسفر را بدست آورده و نشان خواهیم داد امواج آلفون تولیدی در بالای لایه F مناطق تابشی در حدود عرض جغرافیایی میانه ایجاد خواهند کرد. پیدا کردن طول میرایی یا به عبارت دیگر عمق نفوذ امواج آلفون در یونسفر برای پیدا کردن عرض جغرافیایی تابشی مهم است. در این مقاله نشان خواهیم داد عمق نفوذ امواج آلفون پیچشی در یونسفر، به رسانش پدرسن به صورت معکوس وابسته است و با افزایش رسانش پدرسن عمق نفوذ کمتر می شود. بستگی عمق نفوذ یا طول میرایی این امواج را به فرکانس، در حضور رسانش یونسفر بررسی شده و نمودار تغییرات فرکانسی امواج آلفون پیچشی در یونسفر را بر حسب بردار انتشار رسم شده است.