بررسی ساختار الکترونی ترکیبات (XCsK(K=Si, Ge, Sn با استفاده از نظریه تابعی چگالی
محل انتشار: کنفرانس ملی نانو ساختارها علوم و مهندسی نانو
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 825
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN03_062
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
محاسبات بر پایه ی نظریه ی تابعی چگالی (DFT) برای آلیاژهای نیم هویسلر (XCsK(X-Si, Ge, Sn با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته با پتانسیل کامل (FPLAPW) به منظور بررسی خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی انجام شد. این ترکیبات فرومغناطیس نیم فلز هستند. در گام نخست خواص ساختاری شامل پارامتر شبکه ی تعادلی، مدول حجمی و مشتق مدول حجمی برای این ترکیبات در سه ساختار متفاوت (Y(II), Y(I و (Y(III محاسبه شده است. ساختارهای نواری و چگالی حالت های مطالعه شدند. ساختار نوار انرژی این ترکیبات، خاصیت نیم فلزی را تایید می کند. همچنین منشاء گاف های نواری اکثریتی در ترکیبات مختلف مورد بحث قرار گرفته است. مقادیر گاف اکثریتی با تغییر عنصر X از Si→ Ge→ Sn کاهش می یابد. در همه ی ترکیبات مقادیر قابل ملاحظه ی گاف نیم فلزی نشان دهنده ی پایداری خاصیت نیم فلزی در همه ترکیبات است. گشتاورهای مغناطیسی کلی و جزئی ترکیبات نیم فلزی (XCsK(X=Si, Ge, Sn برابر با 2μB به دست آمده است که از رابطه اسلیتر پائولینگ M(tot)=(8-Z(T)μB تبعیت می کنند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
فاطمه بقولی زاده
دانشجوی دکتری فیزیک، گروه فیزیک، واحد شهرضا، دانشگاه آزاد اسلامی، شهرضا، ایران
فرزاد احمدیان
دانشیار، گروه فیزیک، واحد شهرضا، دانشگاه آزاد اسلامی، شهرضا، ایران