بررسی و ارزیابی پایداری حرارتی و زبری سطح لایه نازک اکسید روی

اکسید روی (ZnO) یک نیمه رسانای نوع n با گاف انرژی پهن می باشد، به همین علت به عنوان یک ماده مفید برای گسترش قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی مانند رساناهای شفاف، حسگرهای گازی واریستورها، همچنین در ساخت سلول ای خورشیدی نیز به کار می رود. روش های متعددی برای تهیه فیلم های نازک اکسید روی با توجه به محدوده وسیع کاربردشان وجود دارد. در این کار تجربی فیلم های نازک اکسید روی، با استفاده از روش سل ژل و به کارگیری تکنیک غوطه وری بر روی زیرلایه های مسی تهیه شده اند. از زینک استات دی هیدرات به عنوان ماده اولیه و از محلول های 2- متوکسی اتانول و دی اتانول آمین به ترتیب به عنوان حلال و پایدارساز استفاده شده است. غلظت فیلم های تهیه شده 0/9 مول بر لیتر می باشد و این فیلم ها در دمای 300 درجه سانتی گراد باز پخت شده اند. همچنین در این تحقیق، مورفولوژی، زبری سطح و پایداری حرارتی پوشش مورد بررسی قرار می گیرد.