ویژگی های الکتریکی سطح Si100 درنانوساختار Si/SiGe/Si

موقعیت تراز فرمی نسبت به لبه نوار ظرفیت و چگالی بارهاي سطحی در سطح Si100 در ساختارهاي Si/SiGe/Si که بروش MBF رشد یافته است از طریق آزمایش هال محاسبه شده است. وابستگی چگالی گاز حفره اي دوبعدي شکل گرفته در چاه کوانتومی SiGe به پارامترهاي ساختاري و به بارهاي سطحی شرح داده شده است. تقریب بکار گرفته براساس مدل انتقال بار Charge Transfer و مدل چسبگاه میان گاف MPM است.