مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی و مولد گردابه بر انتقال حرارت فروسیال

مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی و مولد گردابه بر انتقال حرارت جریان ارام و پایای فروسیال تراکم ناپذیر، بصورت تک فاز با روش حجم محدود مدل سازی شده است. در این مطالعه از نانوذرات فرومغناطیس Fe۳O۴ با قطر ۲۵ نانومتر استفاده و عدد رینولدز جریان نیز برابر با ۵۰۰ فرض شده است. در این پژوهش، تاثیر اعمال میدان مغناطیسی و بکارگیری مولد گردابه، برای مقایسه انتقال حرارت و افت فشار با مدل پایه (کانال ساده و درغیاب میدان مغناطیسی) بررسی شده است. نتایج نشان داد که استفاده منفرد از میدان مغناطیسی و مولد گردابه و میدان مغناطیسی نیز نسبت بهبود انتقال حرارت را در رینولدز ۵۰۰ با افزایش ۲/۳۷۴ برابری روبرو کرده است. همچنین مقادیر ضریب عملکرد کانال دارای مولد گردابه، با افزایش عدد رینولدز (در یک میدان ثابت) و با افزایش شدت میدان مغناطیسی (در یک رینولدز ثابت) بترتیب کاهش و افزایش می یابد.