رسانندگی الکتریکی در لایه ضخیم عایق توپولوژیک مغناطیسی در حضور ناخالصی های الکتریکی-مغناطیسی

یک لایه ضخیم عایق توپولوژیک مغاطیسی را در نظر بگیرید که بر روی دو سطح آن ناخالصیهای مغناطیسی وجود دارند، فرض میکنیم که ناخالصیهای مغناطیسی علاوه بر سهم مغناطیسی کوتاه برد یک سهم الکتریکی کوتاه برد دارند. ما در اینجا اثر اختلاف پتانسیل الکتریکی بین دو سطح آن را روی ترابرد بار الکتریکی مطالعه می کنیم. با استفاده از روش نیمه کلاسکی بولتزمن و تقریب زمان واهلش اصلاح شده رسانندگی الکتریکی طولی این سیستم را در راستای عمود بر صفحه ناخالصیهای مغناطیسی محاسبه میکنیم. نشان دادیم که برای یک پتانسیل خاص، رسانندگی الکتریکی طولی با افزایش زاویه ناخالصیها نسبت به محور عمود بر سیستم افزایش مییابد. همچنین نشان دادیم که افزایش پتانسیل الکتریکی باعث کاهش رسانندگی الکتریکی طولی میشود.