ارائه مدل فیزیکی اداوات نیمه هادی الکترونیک قدرت سیلیکون کاربید جهت کنترل افت ولتاژ بایاس مستقیم و ولتاژ شکست معکوس
محل انتشار: هفدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 215
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE17_157
تاریخ نمایه سازی: 28 بهمن 1401
چکیده مقاله:
در اینجا یک مدل مبتنی بر فیزیک ترانزیستور پیوند دو قطبی و صحت اعتبار آن نشان می دهیم که راه حل سری فوریه به منظور حل معادله انتشار تساوی یون های مثبت و منفی در ناحیه کلکتور ترانزیستور استفاده می شود که یک مدل یک ب عدی کامل برای محاسبه حداقل عرض لایه تخلیه برای بدست آوردن شکست یک ساختار p+n-n+ به کار بردیم . محاسبه عرض بهینه لایه تخلیه در ولتاژهای انسداد مختلف به منظور دستیابی به حداقل افت مستقیم قرار میگیرد که محاسبه ضخامت های ناحیه رانش دارای ناخالصی کم و ولتاژ شکست مرتبط با آن و افت ولتاژهای مستقیم ، ولتاژ بالایی به ساختارp+n-n+ اعمال می گردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
وحید صادقی دنیانی
دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد بوشهر، گروه مهندسی برق، بوشهر، ایران،
محسن معصومی
دانشگاه آزاد اسلامی ، واحد جهرم، گروه مهندسی برق، جهرم، ایران
محمدنادر کاکایی
دانشگاه ازاد اسلامی ، واحد بوشهر ،گروه مهندسی برق، بوشهر، ایران